1、1 PMOS可以通过对源和栅极之间加正电压进行控制。
2、2 PMOS是一种n型沟道MOS管的补充器件，与nMOS管相反，PMOS管工作时需加一个负电压至栅极，栅极电压越高，导通电阻就越小，PMOS的导通状态是当栅极电压低于源极时，PMOS就处于导通状态，而栅极电压高于源极时，PMOS就处于截止状态。
3、3 PMOS的控制方式与nMOS相反，需要加一个正电压至栅极，这个栅极电压与源电压之间的电位差称为PMOS的门源电压（VGS），当VGS为负时，PMOS处于导通状态，为正时就处于截止状态。
pmos电路1、以P沟道MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路，简称PMOS。
2、衬底是N型硅片，栅为金属铝。
3、两个邻近的P型扩散区和跨于两扩散区的铝栅，连同衬底构成一个P沟道MOS晶体管，铝栅PMOS电路中各元件之间，可用与铝栅同时形成的铝线或与源、漏区同时形成的扩散线进行连接。
nmos和pmos区别1、NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。
2、 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。
3、PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。
4、NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
5、 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
6、但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
7、MOS开关管损失
8、不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
9、选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
10、现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
11、 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
